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联芯工艺又取得重大突破28纳米HKMG试产良率达98%
发布时间:2018-03-26 点击数:

  日前,联芯集成电路制造(厦门)有限公司已成功试产采用28纳米High-K/Metal Gate 工艺制程的客户产品,试产良率高达 98%。这是该公司28纳米Poly/SiON制程技术成功量产以来,再次取得了技术发展上的新里程碑。

  联芯28纳米High-K/Metal Gate 工艺制程采用了目前全球最先进的Gate Last制程技术,能大幅减少栅极的漏电量,提升晶体管的性能,可以应用于更多样化的各类电子产品。

  联芯集成电路制造项目总投资62亿美元,是海峡两岸合资建设的第一座12英寸晶圆厂,也是福建省目前投资金额最大的单体项目。联芯于2016年11月正式营运投产,目前该公司正全力提速至满载产能。

  联芯能同时提供Poly/SiON和High-K/Metal Gate工艺技术,成为国内最先进的28纳米晶圆专工企业,标志着厦门集成电路制造水平又迈上了一个新台阶,对奠定厦门集成电路产业在全国的战略地位具有重要意义。

 
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